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    用濺射法制備薄膜時，到達基片的濺射粒子的能量比蒸發(fā)法的要大得多，因此會給薄膜的形成帶來一系列的影響，除了使膜與基片的附著力增加外，還會由于高能離子轟擊薄膜表面使其溫度上升而改變薄膜的結構，或使薄膜內(nèi)部應力增加等。濺射粒子的能量與濺射電壓、基片與靶的距離、真空室氣體的壓強等密切相關，因此薄膜的形態(tài)及結構就與上述因素有關。圖5一11給出了工作氣體壓強和基片溫度與薄膜結構之間的關系。區(qū)域I為多孔柱狀區(qū)，呈現(xiàn)葡萄狀結構;有較多的氣孔;區(qū)域II為致密纖維狀區(qū)，比區(qū)域I致密，氣孔少;區(qū)域Ⅲ為完全致密的柱狀晶粒區(qū);區(qū)域Ⅳ為高溫導致柱狀晶變?yōu)榈容S晶粒區(qū)。濺射薄膜常常呈現(xiàn)柱狀結構，猶如許多直徑約為幾百埃的小柱體緊密地聚集在一起而形成的。這種柱狀結構被認為是由于原子或分子在基片上具有有限的遷移率所引起的。這種柱狀結構由于在小柱體之間留下了很多類似毛細孔的空隙，將使薄膜的性能容易變化。